직무 · SK하이닉스 / 공정기술
Q. SK하이닉스 Diffusion과 Thin Film 부서에 대해 질문입니다.
통상적으로 반도체 고정에서 배우는 산화막 질화막 등등 증착(Depositon)의 경우 어느 부서에 해당이 되는걸까요? Thin film에 Metal 공정도 포함이 되는걸까요?
2026.05.12
답변 5
- 멘멘토 지니KT코상무 ∙ 채택률 63%
채택된 답변● 채택 부탁드립니다 ● 보통 반도체 공정에서 배우는 산화막 질화막 증착 공정은 SK하이닉스 기준으로 Thin Film 영역에 더 가깝다고 보시면 됩니다. CVD ALD PVD 같은 Deposition 공정들이 대표적으로 포함되고 산화막 질화막 형성도 여기서 많이 다룹니다. Diffusion은 이름처럼 열처리 기반 공정 비중이 큽니다. 산화 확산 어닐링 등을 담당하며 웨이퍼 특성 변화와 열 공정 최적화에 집중하는 경우가 많습니다. 그리고 Thin Film 안에는 Metal 공정도 포함되는 경우가 많습니다. 특히 금속 배선 형성을 위한 Metal Deposition PVD Barrier Seed 공정 등이 Thin Film 조직 안에 같이 운영되는 케이스가 많습니다.
- 다다할수있습니다큐비앤맘코이사 ∙ 채택률 61%채택된 답변
조금이라도 도움이 되셨다면 채택 부탁드립니다 ~~~~ 보통 말씀하신 산화막, 질화막 같은 절연막 증착은 Thin Film 쪽으로 들어가는 경우가 많습니다. 실제 현업에서도 CVD, ALD, PVD 기반 증착 공정들은 대부분 Thin Film 조직에서 다루는 경우가 많고 Metal 공정도 포함되는 경우가 많습니다. 반면 Diffusion은 이름 그대로 열처리 기반 공정 성격이 강해서 산화, 확산, 어닐링 같은 Furnace 공정 중심으로 운영되는 경우가 많습니다. 그래서 Gate Oxide처럼 열산화 기반 공정은 Diffusion에서 다루기도 합니다. 즉 회사마다 조직 구분은 조금 다르지만 일반적으로는 Thin Film = 증착 중심 Diffusion = 열처리 및 산화 중심 으로 이해하시면 방향 잡기 좋습니다. 면접에서는 공정 이름 암기보다 왜 해당 막을 형성하는지, 절연막과 Metal 특성 차이, CVD PVD ALD 차이를 이해하는 게 더 중요합니다.
합격 메이트삼성전자코부사장 ∙ 채택률 80%채택된 답변멘티님. 안녕하세요. SK하이닉스 공정 구조에서 산화막과 질화막을 증착하는 작업은 주로 Diffusion 부서와 Thin Film 부서가 막질의 종류나 형성 방식에 따라 나누어 담당합니다. 고온 환경에서 웨이퍼 표면을 반응시켜 막을 키우는 열산화 방식은 Diffusion에서 맡고 외부 물질을 기화시켜 쌓는 방식은 Thin Film 영역에 해당합니다. 일반적인 금속 배선 공정인 Metal 공정은 말씀하신 대로 얇은 막을 입히는 특성상 Thin Film 부서 내에서 함께 관리하는 체계로 운영합니다. 따라서 두 부서는 장비와 공정 원리가 유사한 부분이 많으므로 채용 준비 시에는 증착의 세부 메커니즘을 정확히 구분하여 이해하는 과정이 매우 중요합니다. 응원하겠습니다.
- PPRO액티브현대트랜시스코전무 ∙ 채택률 100%
반도체에서 산화막 질화막 금속막 등을 형성하는 증착 공정은 보통 Thin Film 공정 영역으로 묶이는 경우가 많습니다. 그래서 CVD PVD ALD 같은 증착 장비를 다루는 부서가 Thin Film 조직으로 운영되는 회사들이 많고 공정기술 장비기술 평가분석과 연결되어 움직입니다. 산화막 질화막은 절연막 형성 목적이 많고 Metal 공정은 배선 전극 형성 목적이 강하지만 실제로는 모두 막을 형성하는 과정이라 Thin Film 범주 안에 포함되는 경우가 많습니다. 다만 회사마다 조직 구분은 조금 달라서 Metal을 별도 배선 공정으로 분리하기도 하고 CMP 식각과 함께 묶는 경우도 있습니다.
- RReminisen5SK하이닉스코차장 ∙ 채택률 54% ∙일치회사
안녕하십니까? lg전자에서 기구설계 업무를 했으며, 현재 sk하이닉스 기반기술 직무로 재직중인 reminiscence입니다. 박막 내에 금속 배선, ald등의 부서가 나눠져있다고 생각해요 도움이 되셨다면 채택 부탁드립니다.
함께 읽은 질문
Q. 하이닉스 양산기술 이천/청주 고민입니다.
안녕하세요 현재 하이닉스 이력서를 어느 정도 개요를 잡고 회사 위치를 타게팅 할려고 합니다. 저의 자소서의 방향성이 ~~한 경험으로 etch 전문가가 되겠다, NAND의 HARC 구조를 개선하겠다. 이런 뉘양스로 적었는데 이천/청주 중에서는 청주가 NAND의 본거지라고 알고 있습니다. 본가가 서울이라 아직까진 청주에 대한 위치적인 고민이 많이 됩니다. 이천을 지원했을 때에는 'NAND 개선 한다면서 왜 이천 지원?" 이러한 면접 질문이 나올 수 있을지, 청주를 지원하는 것이 현명한 선택일지 현직자 분들의 의견이 궁금합니다. (서울 중위권 학교이며, 전체:4.27/전공:4.22 등 으로 정량적인 스펙은 어느 정도 보유하고 있다고 생각합니다.)
Q. 중견이차전지 품질 vs 중소반도체소재 생산제조 vs 반도체가스 R&D
안녕하세요. 제 최종 목표는 SK하이닉스 삼전 반도체 공정 엔지니어입니다. 현재 세 가지 선택지 중 고민하고 있습니다. 첫 번째는 천보 품질관리팀으로, 품질관리(QC) 실무와 분석기기 활용, Python 기반 데이터 처리 및 보고서 자동화 경험을 쌓을 수 있습니다. 두 번째는 DCT 품질팀 생산제조 직무로, SPC 관리, ISO 문서 관리, Lot 관리, 물성 측정 및 계측기 교정 등 제조 현장 품질 업무를 경험하게 됩니다. 세 번째는 FRD 개발팀 R&D 직무로, 반도체 특수가스 관련 실험 보조와 변수 변경에 따른 결과 분석, 데이터 정리 등의 업무를 수행합니다. 향후 반도체 공정기술입장에서 면접관님 입장에서 바라보는 직무 인식까지 고려했을 때 어떤 경험이 가장 도움이 될지 멘토님의 의견을 듣고 싶습니다.
Q. 반도체 공정기술 스펙 질문 + 졸업유예 고민
먼저 저는 국립대 자퇴 + 학점은행제 경영학 + 현 학교로의 편입을 했고 국립대는 2.1을 받았습니다. (한 학기가 0.24 뜸) //25년 하반기 (4-2) 에는 전부 서류 탈락했습니다. 스펙이라곤 1. 건동홍 신소재 졸업학점 3.87 (전공 3.94) 2. 오픽IH 3. 학부연구생 10개월 (신생랩이라 대부분 논문만 읽음) + 학회 포스터발표 1회 4. 공모전으로 캠퍼스 유니버시아드 대회에 3D DRAM을 주제로 참가 (예선 탈락) 5. 현재 코멘토 증착 부트캠프 (온라인교육으로 한 달 진행) 참여중 서류에 학점 영향이 매우 크게 작용함 + 스펙부족으로 서탈이 예상되어 어떻게 해야할 지 모르겠습니다. 1. 우선 렛유인에서 분석 프로그램을 이용한 반도체 공정, 설비 결함 및 상관관계 분석 교육을 수강할 예정이고 2. 반도체 공정실습을 받을 예정입니다. 추가적으로 졸업유예 해야할까요? 공백기는 똑같다고 들었습니다. 더불어 상반기 취업은 기대 안하는게 좋겠지요?
궁금증이 남았나요?
빠르게 질문하세요.